Filter
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC5-44800S
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 14.29ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 14.29ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 14.29ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 89 (entspricht 31.79ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 3.0
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-44800S
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 14.29ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 14.29ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 14.29ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 89 (entspricht 31.79ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 3.0
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, ECC, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-44800S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 46 (entspricht 16.43ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 45 (entspricht 16.07ns)
- Row Precharge Time tRP: 45 (entspricht 16.07ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, SK hynix A-Die
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 24GB
- JEDEC: PC5-44800S
- CAS Latency CL: 46 (entspricht 16.43ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 45 (entspricht 16.07ns)
- Row Precharge Time tRP: 45 (entspricht 16.07ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, ECC, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-38400S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 39 (entspricht 16.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 39 (entspricht 16.25ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, SK hynix A-Die
weitere Informationen
- Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 7600MT/s (7600MHz effektiv - abgeleitet von 3800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 475MHz (intern)
- Module: 2x 24GB
- JEDEC: PC5-60800U
- CAS Latency CL: 36 (entspricht 9.47ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 48 (entspricht 12.63ns)
- Row Precharge Time tRP: 48 (entspricht 12.63ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 84 (entspricht 22.11ns)
- Spannung: 1.45V
- Modulhöhe: 44mm
- Gehäuse: Heatspreader
- Intel XMP 3.0, Temperatursensor
weitere Informationen
- Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 7600MT/s (7600MHz effektiv - abgeleitet von 3800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 475MHz (intern)
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC5-60800U
- CAS Latency CL: 36 (entspricht 9.47ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 48 (entspricht 12.63ns)
- Row Precharge Time tRP: 48 (entspricht 12.63ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 84 (entspricht 22.11ns)
- Spannung: 1.45V
- Modulhöhe: 44mm
- Gehäuse: Heatspreader
- Intel XMP 3.0, Temperatursensor
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC5-44800S
- CAS Latency CL: 48 (entspricht 17.14ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 48 (entspricht 17.14ns)
- Row Precharge Time tRP: 48 (entspricht 17.14ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 90 (entspricht 32.14ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, ECC, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 48GB
- JEDEC: PC5-44800S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 46 (entspricht 16.43ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 45 (entspricht 16.07ns)
- Row Precharge Time tRP: 45 (entspricht 16.07ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, SK hynix M-Die
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC5-44800S
- CAS Latency CL: 48 (entspricht 17.14ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 48 (entspricht 17.14ns)
- Row Precharge Time tRP: 48 (entspricht 17.14ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 90 (entspricht 32.14ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Kingston Technology KCP556SS6-8. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 5600 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 46
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC5-38400S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 38 (entspricht 15.83ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 38 (entspricht 15.83ns)
- Row Precharge Time tRP: 38 (entspricht 15.83ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Transcend TS1GSA64V8G. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 40
Transcend TS2GSA64V8E. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 40
Transcend TS4GSA64V8E. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 40
Crucial CT16G48C40S5T. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 40
Crucial CT32G48C40S5T. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 40, ECC
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Takt: 4800MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-38400S
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC5-38400S
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 39 (entspricht 16.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 39 (entspricht 16.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 76 (entspricht 31.67ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 3.0
weitere Informationen
- Typ: DDR5 SO-DIMM 262-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC5-38400S
- CAS Latency CL: 38 (entspricht 15.83ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 38 (entspricht 15.83ns)
- Row Precharge Time tRP: 38 (entspricht 15.83ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 76 (entspricht 31.67ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 3.0
weitere Informationen
DDR5RAM ist ein Typ von Arbeitsspeicher, der in einigen neuen Notebooks und anderen mobilen Geräten verwendet wird. Es ist die neueste Generation von RAM und wurde entwickelt, um die Leistung von DDR4RAM zu verbessern. DDR5RAM unterscheidet sich von DDR4RAM durch seine noch höhere Transferrate und niedrigere Spannung.
In Notebooks wird DDR5RAM häufig in Kombination mit einem Solid State Drive (SSD) verwendet, um die Leistung zu verbessern und den Stromverbrauch zu reduzieren. Ein wichtiger Faktor, der die Leistung von DDR5RAM beeinflusst, ist die Taktfrequenz, die in MHz angegeben wird. Je höher die Taktfrequenz ist, desto schneller kann der RAM Daten verarbeiten. DDR5RAM ist in verschiedenen Größen erhältlich, von denen die häufigsten 8 GB und 16 GB sind.
Die Verwendung von DDR5RAM in Notebooks kann dazu beitragen, die Leistung des Systems zu verbessern, indem sie schnellen Zugriff auf wichtige Daten ermöglicht. Es ist auch möglich, mehrere Module von DDR5RAM in einem System zu verwenden, um die Gesamtspeicherkapazität zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig zu beachten, dass die meisten Notebooks nur Platz für ein oder zwei RAM-Module haben, wodurch die Erweiterungsmöglichkeiten begrenzt sind.
DDR5RAM ist die neueste Generation von RAM und bietet im Vergleich zu älteren Generationen wie DDR4RAM noch bessere Leistung und niedrigeren Stromverbrauch. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass DDR5RAM möglicherweise nicht mit älteren Mainboards kompatibel ist und daher möglicherweise nicht in älteren Notebooks verwendet werden kann. Es ist daher wichtig, sicherzustellen, dass das gewählte RAM-Modul kompatibel mit dem Notebook ist, bevor es gekauft wird.