Filter
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
weitere Informationen
DELL A9267647. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 2 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 2 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz
QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3L, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz
Kompatibilität: Apple
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3-10667S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3L-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Module: 2x 4GB
- Spannung: 1.50V
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 13.50ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 13.50ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 24 (entspricht 36.01ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 13.50ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 13.50ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 24 (entspricht 36.01ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 13.50ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 13.50ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 24 (entspricht 36.01ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Innovation IT 4260124852077. Komponente für: Notebook, RAM-Speicher: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, CAS Latenz: 11
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
SP.MEMORY MODULE.DDR4 SDRAM.8GB
8GB DDR4 FOR PROMISE VESS A6000
SO-DIMM DDR3 (Small Outline Dual Inline Memory Module DDR3) ist eine Generation von Arbeitsspeichermodulen, die hauptsächlich in Laptops, Notebooks und anderen kompakten Geräten verwendet wird. Hier ist eine kurze Beschreibung von SO-DIMM DDR3:
Kompakte Bauweise: SO-DIMM DDR3-Module sind kleiner als die regulären DIMMs und wurden speziell für den Einsatz in Laptops und anderen kleinen Geräten entwickelt. Sie haben eine geringere physische Größe, behalten jedoch die gleiche Technologie und Leistungsfähigkeit wie reguläre DDR3-Module bei.
Geschwindigkeit und Kapazität: DDR3-Module bieten eine höhere Übertragungsgeschwindigkeit und Kapazität im Vergleich zu früheren DDR2-Modulen. Sie sind in verschiedenen Kapazitäten wie 2 GB, 4 GB, 8 GB usw. erhältlich und ermöglichen die Verbesserung der Systemleistung und des Arbeitsspeichers für kompakte Geräte.
Stromverbrauch: DDR3-Module arbeiten mit einer niedrigeren Betriebsspannung im Vergleich zu DDR2-Modulen. Dadurch verbrauchen sie weniger Strom und tragen zur Energieeffizienz des Systems bei.
Kompatibilität: SO-DIMM DDR3 ist speziell für Systeme entwickelt worden, die DDR3-Speicher unterstützen. Es ist wichtig sicherzustellen, dass das Motherboard und das System die Verwendung von DDR3-SO-DIMM unterstützen, da neuere Speichergenerationen wie DDR4 nicht kompatibel sind.
SO-DIMM DDR3 wird heutzutage zunehmend durch neuere Speichertechnologien wie DDR4 und DDR5 abgelöst. Dennoch ist SO-DIMM DDR3 nach wie vor relevant für die Aufrüstung älterer Laptops und kompakter Geräte, um die Systemleistung zu verbessern und den Arbeitsspeicher zu erweitern. Es ist wichtig, die spezifischen Anforderungen und Kompatibilitätshinweise des Systems zu beachten, bevor man SO-DIMM DDR3-Module erwirbt.