Filter
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: dual rank, x4
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: single rank, x4
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-25600U
- Ranks/Bänke: single rank, x16
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD, Samsung C-Die
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Übertragung: 3600MT/s (3600MHz effektiv - abgeleitet von 1800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 450MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-28800U
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 9.44ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 21 (entspricht 11.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 21 (entspricht 11.67ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 41.2mm
- Gehäuse: Heatspreader
- Beleuchtung: RGB
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
Lenovo 4ZC7A08709. Komponente für: PC / Server, RAM-Speicher: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2933 MHz, Memory Formfaktor: RDIMM
1 x 16GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, DIMM
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-17000E
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Übertragung: 2933MT/s (2933MHz effektiv - abgeleitet von 1466.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 367MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-23466R
- Ranks/Bänke: single rank, x4
- CAS Latency CL: 21 (entspricht 14.32ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 21 (entspricht 14.32ns)
- Row Precharge Time tRP: 21 (entspricht 14.32ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 47 (entspricht 32.05ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Lenovo 4X71B67860. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, ECC
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600U
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Übertragung: 2666MT/s (2666MHz effektiv - abgeleitet von 1333MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 333MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-21300R
- Ranks/Bänke: dual rank, x4
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD, SK hynix D-Die, Temperatursensor
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht ~13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht ~13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht ~13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
- Übertragung: 2400MT/s (2400MHz effektiv - abgeleitet von 1200MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-19200E
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 14.17ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-17000U
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 35 (entspricht 32.82ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Übertragung: 2800MT/s (2800MHz effektiv - abgeleitet von 1400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 350MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-22400U
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 12.14ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 12.14ns)
- Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 12.14ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 37 (entspricht 26.43ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 42mm
- Gehäuse: Heatspreader
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
Origin Storage 16GB DDR4 2666MHz UDIMM 2Rx8 Non-ECC 1.2V. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, CAS Latenz: 19
Fujitsu S26361-F4083-L364. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 64 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 64 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2933 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, ECC
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-25600U
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Origin Storage 8GB DDR4 2666MHz UDIMM 1Rx8 Non-ECC 1.2V (Ships as 2Rx8). Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, CAS Latenz: 19
DDR4-RAM: DDR4-RAM ist der aktuelle Standard für Arbeitsspeicher in modernen Computern. Er bietet eine höhere Leistung, eine höhere Speicherkapazität und eine verbesserte Energieeffizienz im Vergleich zu früheren DDR-RAM-Versionen.
Höhere Geschwindigkeit: DDR4-RAM bietet höhere Übertragungsgeschwindigkeiten im Vergleich zu DDR3-RAM. Dies ermöglicht schnellere Datenzugriffe und verbessert die Gesamtleistung des Systems.
Höhere Speicherkapazität: DDR4-RAM unterstützt höhere Speicherkapazitäten pro Modul im Vergleich zu DDR3-RAM. Dies ermöglicht es, größere Datenmengen zu speichern und anspruchsvollere Aufgaben auszuführen.
Verbesserte Energieeffizienz: DDR4-RAM verwendet eine niedrigere Betriebsspannung im Vergleich zu DDR3-RAM, was zu einer verbesserten Energieeffizienz führt. Dies trägt dazu bei, den Stromverbrauch zu senken und die Wärmeentwicklung im System zu reduzieren.
Erweiterte Funktionen: DDR4-RAM bietet auch erweiterte Funktionen wie Fehlerkorrekturcodes (ECC), die Datenintegrität verbessern und Fehler bei der Datenübertragung erkennen und korrigieren können.
Kompatibilität: DDR4-RAM ist nicht abwärtskompatibel mit älteren DDR-RAM-Versionen wie DDR3 oder DDR2. Um DDR4-RAM verwenden zu können, benötigen Sie ein Motherboard oder eine Laptop-Plattform, die speziell für DDR4-RAM entwickelt wurde.
Upgrade-Möglichkeit: DDR4-RAM bietet eine einfache Möglichkeit, den Arbeitsspeicher Ihres Systems zu erweitern oder zu verbessern. Durch das Hinzufügen von DDR4-RAM-Modulen können Sie die Systemleistung steigern, die Multitasking-Fähigkeit verbessern und eine reibungslose Ausführung anspruchsvoller Anwendungen ermöglichen.
DDR4-RAM ist derzeit der gängige Standard für Arbeitsspeicher in modernen Computern. Bevor Sie DDR4-RAM kaufen, sollten Sie sicherstellen, dass Ihr Motherboard oder Ihre Laptop-Plattform mit DDR4-RAM kompatibel ist und die spezifischen Geschwindigkeits- und Kapazitätsanforderungen erfüllt.