- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1600MT/s (1600MHz effektiv - abgeleitet von 800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 200MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Kompatibilität: Apple
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1333MT/s (1333MHz effektiv - abgeleitet von 666.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 167MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3-10667S
- Ranks/Bänke: quad rank
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Kompatibilität: Apple
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1600MT/s (1600MHz effektiv - abgeleitet von 800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 200MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1600MT/s (1600MHz effektiv - abgeleitet von 800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 200MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1333MT/s (1333MHz effektiv - abgeleitet von 666.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 167MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Kompatibilität: Apple
Kompatibilität: Apple
Kompatibilität: Apple
Corsair CMSO8GX3M2A1333C9. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1333 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9
Corsair 4GB, DDR3. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1066 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 7
Corsair 16GB (2 x 8 GB) DDR3 1333MHz SODIMM. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1333 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9
Corsair 8GB DDR3. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1333 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9
Corsair 2x 4GB, DDR3L, 1600MHz. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9, Produktfarbe: Grün
Kompatibilität: Apple
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3L-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD