- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-17000S
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2666MT/s (2666MHz effektiv - abgeleitet von 1333MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 333MHz (intern)
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 32.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-17000S
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2400MT/s (2400MHz effektiv - abgeleitet von 1200MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC4-19200S
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 13.33ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht 13.33ns)
- Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht 13.33ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 39 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC4-17000S
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC4-17000S
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2666MT/s (2666MHz effektiv - abgeleitet von 1333MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 333MHz (intern)
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 32.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 267MHz (intern)
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-17000S
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
G.Skill 8GB DDR4-2800. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2800 MHz, CAS Latenz: 18
G.Skill 16GB DDR4-2800. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2800 MHz, CAS Latenz: 18
G.Skill 16GB DDR4-2800. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2800 MHz, CAS Latenz: 18
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-22400S
- CAS Latency CL: 18 (entspricht 12.86ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht 12.86ns)
- Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht 12.86ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 30.71ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
weitere Informationen
G.Skill Ripjaws SO-DIMM 16GB DDR4-2666Mhz. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 18
G.Skill Ripjaws. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3000 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 16
G.Skill F4-3000C16D-16GRS. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3000 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 16
G.Skill Ripjaws. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3000 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 16