DDR4RAM 4GB DDR4-3200 Samsung SO-DIMM, CL22-22-22
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- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: single rank, x16
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, Samsung C-Die
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Datenblatt
| Merkmale | |
|---|---|
| Speicherkapazität: | 4 GB |
| Speicherlayout Module x Größe: | 1 x 4 GB |
| Interner Speichertyp: | DDR4 |
| Speichertaktfrequenz: | 3200 MHz |
| Komponente für: | Laptop |
| Memory Formfaktor: | 260-pin SO-DIMM |
| ECC: |  |
| Speicherspannung: | 1.2 V |
| Modulkonfiguration: | 512M x 16 |
Hinweis: Die Beschreibung und das Datenblatt werden von Icecat zur Verfügung gestellt. Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen.
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